TSM085NB03CV RGG
Numéro de produit du fabricant:

TSM085NB03CV RGG

Product Overview

Fabricant:

Taiwan Semiconductor Corporation

DiGi Electronics Numéro de pièce:

TSM085NB03CV RGG-DG

Description:

30V, 58A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Description détaillée:
N-Channel 30 V 11A (Ta), 58A (Tc) 1.92W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (3.15x3.1)

Inventaire:

10000 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12991716
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SOUMETTRE

TSM085NB03CV RGG Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Taiwan Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
11A (Ta), 58A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
8.5mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1101 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.92W (Ta), 52W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-PDFN (3.15x3.1)
Emballage / Caisse
8-PowerWDFN
Numéro de produit de base
TSM085

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
5,000
Autres noms
1801-TSM085NB03CVRGGTR
1801-TSM085NB03CVRGGDKR
1801-TSM085NB03CVRGGCT

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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